• چهارشنبه / ۲۲ اردیبهشت ۱۴۰۰ / ۱۶:۵۵
  • دسته‌بندی: انجمن های علمی
  • کد خبر: 1400022215989
  • منبع : باشگاه دانشجویان

برگزاری کارگاه اندازه‌گیری سطح ویژه و تخلخل مواد

برگزاری کارگاه اندازه‌گیری سطح ویژه و تخلخل مواد

انجمن علمی مهندسی شیمی، نفت و گاز دانشگاه علم و صنعت، کارگاه اندازه‌گیری سطح ویژه و تخلخل مواد را برگزار می‌کند.

به گزارش باشگاه دانشجویان ایسنا، اندازه‌گیری دقیق مساحت سطح و تخلخل در بسیاری از کاربردها مانند کاتالیست‌ها، نانو جاذب‌ها، ترکیبات و افزودنی‌ها، مواد دارویی و صنایع غذایی و همچنین در نانوساختارهایی نظیر نانوذرات فلزی، نانولوله‌ها، نانوالیاف و غیره از اهمیت بالایی برخوردار است. از بین روش‌های مورد استفاده در تعیین میزان تخلخل، روش BET که مبتنی بر جذب است، بسیار مورد توجه قرار می گیرد. در این روش یک لایه کامل از مولکول‌های ماده جذب‎شونده روی سطح به وجود می‌آید. با دانستن ضخامت متوسط یک مولکول می‌توان سطحی که یک مولکول اشغال می‌کند را محاسبه کرد و براساس میزان ماده جذب شده، مساحت سطح کل نمونه را اندازه‌گیری کرد.

اکثر مواد جامد در داخل ساختار خود دارای حفرهایی هستند که تحت عنوان تخلخل شناخته شده و بر اساس اندازه، نوع و شکل خود تقسیم‌بندی می‌شوند.

"تخلخل و انواع آن در ساختار مواد"، "مکانیسم‌های جذب سطحی"، "ایزوترم‌های جذب سطحی"، "آنالیز مساحت سطح با استفاده از ایزوترم‌های BET"، "آنالیز مزوحفره‌ها " و "آنالیز میکروحفرات" از جمله مباحث و سرفصل‌هایی است که در این کارگاه به آن ها پرداخته می شود.

این برنامه با تدریس دکتر مصطفی مهین روستا ـ دکتری تخصصی مهندسی شیمی، روز جمعه ۲۴ اردیبهشت ماه ساعت ۹ الی ۱۵ به صورت مجازی برگزار می‌شود.

علاقه‌مندان می توانند برای ثبت‌نام به لینک  https://ppng.ir/d/۹۴rq مراجعه و برای دریافت اطلاعات بیشتر با شناسه H_mofateh@ و شماره تماس ۰۹۰۲۸۷۱۰۸۱۹ ارتباط برقرار کنند.

انتهای پیام

  • در زمینه انتشار نظرات مخاطبان رعایت چند مورد ضروری است:
  • -لطفا نظرات خود را با حروف فارسی تایپ کنید.
  • -«ایسنا» مجاز به ویرایش ادبی نظرات مخاطبان است.
  • - ایسنا از انتشار نظراتی که حاوی مطالب کذب، توهین یا بی‌احترامی به اشخاص، قومیت‌ها، عقاید دیگران، موارد مغایر با قوانین کشور و آموزه‌های دین مبین اسلام باشد معذور است.
  • - نظرات پس از تأیید مدیر بخش مربوطه منتشر می‌شود.

نظرات

شما در حال پاسخ به نظر «» هستید.